-
半导体瞬态热测试技术的前世今生及未来
应用半导体的IV曲线去测量半导体结温，是一项芯片结温测量技术，从半导体物理学的角度，我们知道在PN结上施加恒流源后，结电压随着温度的变化大约是 -1 mV/°C ～ -2 mV/°C。描绘二极管电压随着温度的变化特征可以使用户测量二极管电压，并很容易地确定芯片温度。通过测量电压的去测量结温的方法也叫ETM（Electrical Test Method），在测量温度之前，首先要对表征该半导体电压和温…- 661
- 0
-
针尖增强拉曼热测量技术实现纳米热点测温及弹道输运研究
来源 | 传热传质青委会，作者：岳亚楠，武汉大学教授 01 背景介绍 纳米尺度热点一般指100nm及以下尺度大小的热点，在微纳电子器件、功能器件中广泛存在。局部热点对器件运行产生重要的安全隐患，极大地降低了热安全阈值。 由于材料的热导率与声子自由程密切相关，而当热点尺度与声子自由程相当或更小时，其声子散射能量扩散不充分，产生弹道热输运效应，导致热导率的降低，进一步影响了局部热点能量扩…- 919
- 0
-
瞬态热测试在内存模块热分析中的应用
00 摘要 与传统的稳态热特性技术相比，电子瞬态测试方法具有精度高，复现性好和数据翔实等特点，所以它已经逐渐成为一种非常有用的热分析工具。本文介绍了如何使用瞬态测试技术对一条有16个芯片的内存模块进行热分析。模块的边界条件和损耗分布是研究工作中的两个变量。通过对瞬态温度测量数据进行反卷积网络计算，我们可以识别其结构函数，结构函数是对于给定的边界条件和损耗分布下，沿着特定热流路径的热阻与热容关系曲线…- 490
- 0
-
使用热电偶进行温度测量时的注意点
热电偶用作测量半导体封装表面温度的一种手段。但是，如果热电偶处理不当，得到的结果可能与实际情况有所不同，因此必须注意。虽然表面温度也可以使用热成像仪测量，但最终产品被封装在机箱中，在大多数情况下无法查看测量目标。因此，使用热电偶进行接触式测量较为常用。- 1.1k
- 2
-
-
热测试（二）——瞬态热测试与结构函数
1995年开始，JEDEC JESD51系列标准规格化电子部件的结温测试方法为ETM（电气法），规定2种瞬态热测试的方法（动态法，静态法），被广泛应用至今。2010年11月，JESD51-14追加了瞬态热阻的规格（推荐冷却测试法为标准方案），用瞬态法测试电子部件一次元散热路径的结壳热阻，结构函数分析法被正式认定。- 1.2k
- 0
-
热测试（一）——ETM法测量结温
热测试——通过各种手段，推算或者测量芯片的结温。因为结温是热设计上限，控制结温是热设计非常重要的目标。传统测量结温的方法一般都是通过测量壳温，再根据θjc推算出结温。- 829
- 0
-
-
$优惠劵使用时效：无法使用使用时效：
之前
使用时效：永久有效优惠劵ID：×