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金刚石（钻石）散热的优劣势，和其它材料的比较，未来的发展趋势
钻石散热作为一种新型散热技术，具有显著的优劣势，并与其他传统散热材料有所比较。以下是根据报告内容总结的钻石散热的优劣势、与其他材料的比较以及未来的发展趋势： 金刚石为半导体材料领域“六边形战士”，被视为“终极半导体” 一、钻石散热的优势： 高热导率：金刚石（钻石）的热导率是已知最高的材料之一，达到2000 W/m·K，远高于硅（Si）、碳化硅（SiC）和砷化镓（GaAs）等材料，使得热量能更快…...- 0
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开源证券-机械设备行业深度报告：钻石散热，高算力时代的终极方案，打开AI潜力的钥匙20241208
研究报告内容摘要 钻石：“终极”半导体材料，“六边形战士” 随着半导体遵循着摩尔定律纳米制程进步、TDP（热设计功耗）上升，芯片热流密度变得越来越高，散热革命成为AI、HPC时代最大挑战。当芯片表面温度达到70-80℃时，温度每增加1℃，芯片可靠性就会下降10%；设备故障超过55%与过热直接相关。 金刚石是已知热导率最高的材料，热导率达硅（Si）13倍、碳化硅（Sic）4倍，铜和银4-5倍，并具有…...- 0
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金刚石颗粒增强铜基复合材料的界面热导调控
01 背景介绍 随着电子元件日益小型化和集成化，功率密度迅速增加，近年来散热已成为限制电子系统性能的主要因素之一。高效热管理材料对于提高电子设备的工作寿命和使用可靠性至关重要。由于优异的导热性（600−1000W/(m·K)）和合适的热膨胀系数（4−8×10-6/K），金刚石颗粒增强铜基（Cu/diamond）复合材料被认为是新一代热管理材料。 Cu/diamond界面对Cu/diamond复合材…...- 0
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5G时代，金刚石/金属复合材料能否解救过热的半导体器件！
随着电子技术快速发展，通讯技术逐步迈入5G时代。半导体材料不断更新换代的同时，集成电路也向着大规模、高集成、大功率方向不断深入。以SiC和GaN为代表的宽禁带半导体材料的应用，使得绝缘栅双极晶体管（IGBT）得到迅速发展，正在开启新一代信息技术的新局面。 大功率、高电流密度是IGBT芯片的发展趋势，这势必会造成电子元器件过热。研究数据表明，芯片表面温度达到 70~80℃时，温度每增加…...- 0
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粉末冶金制备高导热铜基复合材料的研究进展
本文重点对近年来以金刚石、石墨烯、石墨、碳纳米管、SiC 为增强体的铜基复合材料的研究进展进行论述，最后就高导热铜基复合材料目前存在的问题及未来的研究方向进行了展望。...- 0
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高导热炭/铝复合材料的研究进展
简要介绍了高导热炭质增强相（高定向石墨、纳米碳材料、碳纤维、泡沫碳、金刚石和类金刚石薄膜）的特点及其适用性，分析 了不同高导热炭 / 铝复合材料的性能特点及研究现状。...- 0
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导热金刚石同大尺寸芯片的低温烧结银连接工艺
[ 引 言 ] 近十几年电子通讯行业飞速发展，小型化、集成化已成为未来许多高密度、高功率、以及高性能芯片领域未来发展的必然趋势，但随之而来的便是由于发热造成的芯片损坏、设备失效等问题，因此对于为电子元件提供连接、阻隔、散热、机械支撑和物理保护的电子封装工艺提出了严峻考验。电子封装工艺涉及从半导体晶圆的第一级封装开始到更高级别的封装，例如芯片与芯片、芯片与基板以及基板与基板之间的封装都会逐级引入界面…...- 0
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铜-硼/金刚石复合材料翅片热沉散热研究
摘要: 采用气压浸渗法制备了热导率为 850 W·m-1K-1的铜-硼 /金刚石复合材料翅片热沉，测试了其在自然冷却､强迫风冷和强迫水冷三种冷却模式下的散热效果｡结果表明，热源功率越高，铜-硼 /金刚石复合材料的散热效果越显著｡在强迫水冷模式下，当加热片的输入功率为 80 W 时，使用铜-硼 /金刚石复合材料翅片热沉时加热片的最高温度比使用铜翅片热沉时低14 ℃，比使用铝翅片热沉时低 23 ℃。I…...- 0
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高导热金刚石在空间相控阵天线中的应用
信息来源：Functional Diamond 随着航天事业的快速发展，相控阵天线由于具有波束转换灵活、寿命长、可靠性好等突出优势，在空间信息传输、空间探测等方面将发挥关键作用。但是，相控阵天线具有高性能、高集成度和高热流密度等特征，在其内部狭小的空间内密集布置着数量众多的T/R模块，导致天线热量过于集中。因此，散热问题已成为制约其上天应用并进一步发展的难点和瓶颈，也严重影响其可靠性、寿命和工作性…...- 0
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5G时代，金刚石/金属复合材料能否解救过热的半导体器件！
随着电子技术快速发展，通讯技术逐步迈入5G时代。半导体材料不断更新换代的同时，集成电路也向着大规模、高集成、大功率方向不断深入。以SiC和GaN为代表的宽禁带半导体材料的应用，使得绝缘栅双极晶体管（IGBT）得到迅速发展，正在开启新一代信息技术的新局面。 大功率、高电流密度是IGBT芯片的发展趋势，这势必会造成电子元器件过热。研究数据表明，芯片表面温度达到 70~80℃时，温度每增加…...- 0
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金刚石作为散热材料在氮化镓基电子器件中的应用
日本国立物质材料研究所：金刚石作为散热材料在氮化镓基电子器件中的应用 近年来，随着氮化镓（GaN）基微波功率器件输出功率的提高及器件尺寸的缩小，散热问题已成为制约其可靠性和稳定性的重要因素之一。在目前所知的天然物质中，金刚石具有最高的热导率，是制备GaN基电子器件不可或缺的散热材料，在高频高功率AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的散热方面极有应用潜力。 实现GaN-on-diamond结构主要有…...- 0
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金刚石凝胶加持，realme真我GT Neo2告诉你，什么才叫散热天花板
在说正事之前，我个人想先问屏幕前的大家们一个问题。不知道屏幕前的大家觉得，作为一款性能不错的手机，除了性能之外究竟是哪个方面最为重要呢？是外观？还是续航？亦或是屏幕方面的表现？其实以上这几点都不是最重要的，对于一款性能出众的手机来说，最重要的莫过于散热方面的性能了！毕竟手机性能出众的代价，便是随之而来的功耗提升了。而在不久前，知名数码大V小白评测，就对目前市面的大部分机型进行了一次散热测试。而在这…...- 0
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金刚石散热衬底在GaN基功率器件中的应用进展
信息来源：知网 摘要：氮化镓（GaN）基功率器件性能的充分发挥受到沉积GaN的衬底低热导率的限制，具有高热导率的化学气相沉积（CVD）金刚石成为GaN功率器件热扩散衬底材料的优良选择。相关学者在高导热金刚石与GaN器件结合技术方面开展了多项技术研究，主要包括低温键合技术与GaN外延层背面直接生长金刚石的衬底转移技术、单晶金刚石外延GaN技术和高导热金刚石钝…...- 0
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高导热金刚石/铝复合材料的研究进展
信息来源：知网 摘要：综述了热管理用高导热金刚石/铝复合材料的主流制备技术和影响其导热性能发挥的关键因素，重点介绍了真空热压烧结、放电等离子烧结、无压浸渗、真空气压浸渗和挤压铸造等制备工艺，并评述了各自的优缺点及其适用性。探讨了金刚石颗粒特性、基体合金元素和金刚石表面镀层对复合材料的界面组态与导热性能的影响规律，指出通过基体合金化和金刚石表面…...- 0
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热丝法CVD金刚石制备技术
日本N.Setaka等人用热丝CVD法沉积出了高质量多晶金刚石膜。自此以后，出现了许多不同化学气相沉积金刚石膜系统，如热丝CVD法、微波等离子CVD法、火焰燃烧CVD法、直流等离子辅助CVD法等。...- 0
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