半导体装置及形成发光二极管元件的方法

半导体装置及形成发光二极管元件的方法,台湾台湾积体电路制造股份有限公司 作者:袁从棣 ,热管理网专利下载
热管理专利详情:
  • 作者:袁从棣
  • 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司
  • 国省名称:台湾
  • 公开号:CN102386155A
  • 公开日:2012-03-21
  • 专利类别:发明公开
  • 文件大小:726893KB
专利摘要:
本发明提供半导体装置及形成发光二极管元件的方法。上述半导体包含了一基板,其具有相反的第一侧边和第二侧边。一第一放热元件形成于此基板的第一侧边上,一第二放热元件形成于基板上与该第一放热元件共平面的第一侧边,但不接触第一放热元件。一散热器利用一热界面材料结合至此基板的第二侧边。此散热器包含一第一和第二蒸汽室。第一蒸汽室内嵌于散热器中且大体上相对于该第一放热元件。第二蒸汽室内嵌于散热器中且大体上相对于该第二放热元件。举例来说,第一放热元件可为一发光二极管,且第二放热元件可为一发光二极管的驱动电路。本发明改善了半导体装置的热性能。

专利主权项:
一种半导体装置,包含:一基板,具有相反的第一侧边和第二侧边;一第一放热元件,形成于该基板的该第一侧边上;一第二放热元件,形成于该基板的第一侧边上,与该第一放热元件共平面,但不接触该第一放热元件;一散热器,利用一热界面材料结合至该基板的该第二侧边,该散热器包含:一第一蒸汽室,内嵌于该散热器中且大体上相对于该第一放热元件;以及一第二蒸汽室,内嵌于该散热器中且大体上相对于该第二放热元件。

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