形成键合半导体结构的方法和用该方法形成的半导体结构,法国SOITEC公司 作者:M·佐高 ,热管理网专利下载
热管理专利详情：
- 作者：M·佐高
- 申请人：SOITEC公司
- 国省名称：法国
- 公开号：CN102738025A
- 公开日：2012-10-17
- 专利类别：发明公开
- 文件大小：4324536KB
专利摘要：
一种形成键合半导体结构的方法和用该方法形成的半导体结构,形成键合半导体结构的方法包括：提供包括器件结构的第一半导体结构；在低于大约400℃的温度下将第二半导体结构键合到第一半导体结构；通过第二半导体结构进入第一半导体结构形成贯通晶片互连；以及在与第一半导体结构的相反侧将第三半导体结构键合到第二半导体结构。在另外的实施例中,提供第一半导体结构。将离子注入到第二半导体结构中。第二半导体结构仍然键合到第一半导体结构。使第二半导体结构沿离子注入平面断裂,至少部分通过第一和第二半导体结构形成贯通晶片互连,在与第一半导体结构相反侧将第三半导体结构键合到第二半导体结构。键合半导体结构是使用这种方法形成的。
专利主权项：
一种形成键合半导体结构的方法,包括：提供包括至少一个器件结构的第一半导体结构；在低于大约400℃的温度下将第二半导体结构键合到所述第一半导体结构；通过所述第二半导体结构进入所述第一半导体结构并且达到所述至少一个器件结构形成至少一个贯通晶片互连；以及在所述第二半导体结构与所述第一半导体结构的相反的那一侧将所述第二半导体结构键合到第三半导体结构。
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