一种石英玻璃衬底LED深紫外倒装芯片,上海 作者:包建敏,包晓通,章志凤 ,热管理网专利下载
热管理专利详情：
- 作者：包建敏,包晓通,章志凤
- 申请人：包建敏
- 国省名称：上海
- 公开号：CN106505136A
- 公开日：2017-03-15
- 专利类别：发明公开
- 文件大小：263.9KB
专利摘要：
本发明公开了一种石英玻璃衬底LED深紫外倒装芯片,利用深紫外光能透过石英玻璃的特性,让石英玻璃单面出光,另一平面上则生长深紫外GaN的LED结构层,芯片上的正电极P与负电极N,用来传热散热,进出电流及焊接热沉,石英玻璃衬底LED深紫外倒装芯片的诞生为后续产品的封装,可省掉导线架、打线、封胶等工艺,用石英玻璃做芯片透镜既保护了外延层,又提升了抗静电能力,对降氧化,延长器件的寿命都起了重要作用,采用上述倒装技术方案后,可有效提高LED芯片的热管理,且芯片可通大电流,可杜绝因金线虚焊或接触不良所引起的闪烁,解决了深紫外LED芯片的散热难,功率小,寿命短,光衰大的难题。
专利主权项：
一种石英玻璃衬底LED深紫外倒装芯片,其特征在于：包括石英玻璃层、GaN的N层、N负电极、氮化铝镓发光层、GaN的P层、反射层及P正电极,其特征在于：所述的石英玻璃既是倒装芯片的衬底又是倒装芯片的透镜,让石英玻璃单面出光,另一面生长深紫外GaN基LED结构层,GaN的N层生长在石英玻璃面上,氮化铝镓发光层生长在GaN的N层与石英玻璃平面上,GaN的P层设置在氮化铝镓发光层上,N负电极与GaN的N层相连接,P电极与GaN的P层相连接,P电极与N电极的GaN的P层交接处设有反射层,P正电极与N负电极是用于传导热,进出电流及焊接热沉的接触面。
一种石英玻璃衬底LED深紫外倒装芯片专利下载：
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