- 作者:R·R·诺顿
- 申请人:美国亚德诺半导体公司
- 国省名称:美国
- 公开号:CN107833887A
- 公开日:2018-03-23
- 专利类别:发明公开
- 文件大小:1803.7KB
专利主权项:
构造用于热能管理的晶体管器件,所述晶体管器件包括在半导体基板内形成的多个有源区域,所述有源区域分别由具有其上形成的端子电极的其它区域分开,所述端子电极包括通过各自的电极间距彼此分开的导电元件,所述电极间距离从所述晶体管器件的边缘向所述晶体管器件的中间增加。
多指FET中的热管理专利下载:
专利主权项:
构造用于热能管理的晶体管器件,所述晶体管器件包括在半导体基板内形成的多个有源区域,所述有源区域分别由具有其上形成的端子电极的其它区域分开,所述端子电极包括通过各自的电极间距彼此分开的导电元件,所述电极间距离从所述晶体管器件的边缘向所述晶体管器件的中间增加。
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