高长径比的光学精加工薄金刚石基材或窗及其制造方法

高长径比的光学精加工薄金刚石基材或窗及其制造方法,美国II-VI有限公司 作者:W-Q·许,C·刘,埃尔金·E·伊斯勒,乔瓦尼·巴尔巴罗萨,查尓斯·D·坦纳,托马斯·E·安德森 ,热管理网专利下载
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  • 作者:W-Q·许,C·刘,埃尔金·E·伊斯勒,乔瓦尼·巴尔巴罗萨,查尓斯·D·坦纳,托马斯·E·安德森
  • 申请人:II-VI有限公司
  • 国省名称:美国
  • 公开号:CN107873063A
  • 公开日:2018-04-03
  • 专利类别:发明公开
  • 文件大小:3674.9KB
专利摘要:
在金刚石膜、基材或窗的形成方法中,提供一种硅基材,并且金刚石膜、基材或窗CVD生长在硅该基材的表面。生长的金刚石膜、基材或窗具有≥100的长径比,其中所述长径比是金刚石膜、基材或窗的最大尺寸除以金刚石膜的厚度所得的比值。可任选地从金刚石膜、基材或窗上除去或分离该硅基材。

专利主权项:
一种金刚石膜、基材或窗,包括:至少一个光学精加工表面;并且所述金刚石膜、基材或窗的最大尺寸除以所述金刚石膜、基材或窗的厚度所得的长径比≥100。

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