- 作者:A·维诺戈帕,M·丹尼森,L·哥伦布,H·尼古耶,D·爱德华兹
- 申请人:德克萨斯仪器股份有限公司
- 国省名称:美国
- 公开号:CN105470218B
- 公开日:2020-12-08
- 专利类别:发明授权
- 文件大小:1373.4KB
专利主权项:
1.一种形成微电子器件的方法,包括以下步骤:为所述微电子器件的半导体器件提供器件衬底,所述器件衬底具有前表面和后表面;在所述前表面处形成组件;在所述后表面上形成粘合层,所述粘合层包括钛、钛钨或镍;以及在所述粘合层上形成散热器材料以形成背侧散热器层,所述散热器材料的厚度为100纳米至3微米、具有至少150瓦特/米·开尔文的层内导热系数以及小于100微欧姆厘米的电阻率,其中,形成所述散热器材料包括使用甲烷和氢气以形成石墨层的等离子体增强式化学气相沉积即PECVD工艺。
用于热管理的背侧散热器的集成专利下载: